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存储器大战—RRAM对决3D NAND闪存

 

   我们也许在不久的将来,会拥有高速存储器容里超过1TB的智能手机或平板电脑。

   几年后,你携带的智能手机、平板电脑或笔记本电脑很可能配备数百GB,甚至数TB超高速存储器,这要感谢存储器领域近日取得的两大进展。

    首先,三星公司宣布如今它在批量生产3D垂直结构NAND (V-NAND )芯片;随后,新兴公Crossbar表示,它已开发出了电阻式随机访问存储器(RRAM)芯片的原型产品。
 
 
    3D NAND拿来如今做在水平面上的闪存后,将它转向一侧。之后,就像微型存储器摩天大楼一样,并排堆放,形成密度大大提高的芯片,其写人性能是如今2D即平面结构NAND的2倍,可靠性更是后者的10倍。
 
    制造将数据存储在平面结构NAND上的硅闪存单元的最密集工艺介于10-19nm这个尺寸之间。知道这个尺寸有多小吗?人的头发比采用25nm工艺技术制造的NAND闪存还要粗3000倍,1英寸相当于2500万nm。
 
    NAND闪存使用晶体管或捕获电荷(又叫电荷捕获闪存)技术,将一位数据存储在一个硅单元中,而RRAM使用极小的导电细丝来连接硅层。从而表示一位数据:数字0或1。
 
 
    在RRAM中,最上面一层硝酸硅形成一个导电电极,而下面一层是不导电的二氧化硅。两个电极之间施加编程电压后,上面那个电极的纳米粒子就会在交换材料里面扩散,形成细丝;细丝接触下面那个电极时,存储器单元就可以导电。两个电极之间施加反向电压后,丝片就会被推回去.随之消失。这时存储器单元不导电。
 
   这两种存储器都是行业的一个创新,但哪一种会在5年后称霸非易失性存储器市场,这是个未知数,让我们期待它们的竞争吧。

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